iPhone и iPad следующего поколения могут получить 4 Гб оперативной памяти

 

 

Samsung анонсировала мобильный чип памяти LPDDR4 DRAM емкостью 8 Гб. Новая память способна увеличить объём RAM смартфонов и планшетов до 4 ГБ, тогда как размер оперативной памяти современных мобильных устройств не превышает 3 ГБ.

 

 

Данные модули выполнены на основе 20-нм техпроцесса. Один кристалл обладает емкостью 1 ГБ, что является рекордом для своего класса. Объединив четыре таких чипа, можно создавать модули памяти для портативной электроники объемом 4 ГБ.

 

Интерфейс LPDDR4 обеспечивает прирост производительности на уровне 50% по сравнению с широко распространенным в настоящее время интерфейсом LPDDR3. При этом заявлено снижение энергопотребления на 40% при рабочем напряжении питания 1,1 В.

 

В новых модулях RAM используется интерфейс LVSTL I/O. Как отмечается, это обеспечивает скорость передачи данных для каждого соединения 3200 Мб/с, что в 2 раза превосходит возможности массовых продуктов LPDDR3 DRAM, которые изготавливаются по сопоставимым технологическим процессам.

 

Новые чипы памяти ориентированы на мобильные устройства премиум-сегмента: смартфоны, планшеты и ноутбуки. Также они могут использоваться в высокопроизводительных сетевых решениях.

 

 

Наблюдатели полагают, что 8-гигабитная LPDDR4 RAM память может найти применение в следующих моделях iPhone и iPad. То есть они могут получить 4 гигабайта оперативной памяти, и это позволит «яблочным» устройствам эффективнее использовать преимущества 64-битного процессора.

 

        сылка